铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010673033.8

申请日：

2020-07-14

公开(公告)号：

CN112563323A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

李润姓金尚昱赵常玹许镇盛李香淑

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

H01L2978 H01G706 C23C1640 C23C16455 C23C1656

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/51 申请日:20200714
2021-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

中国专利 :CN113345795A ,2021-09-03

[2]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

韩国专利 :CN113345795B ,2025-07-04

[3]

薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P].

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 ;

金尚昱 ;

李润姓 .

韩国专利 :CN112582539B ,2025-03-21

[4]

薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P].

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 ;

金尚昱 ;

李润姓 .

中国专利 :CN112582539A ,2021-03-30

[5]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN112687732B ,2024-02-02

[6]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20

[7]

反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置 [P].

朴报恩 ;

金容诚 ;

宋政奎 ;

李周浩 .

中国专利 :CN115692482A ,2023-02-03

[8]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

金相壹 ;

金世润 ;

文庚奭 ;

黄成宇 ;

孙崙喆 ;

李孝锡 .

中国专利 :CN105280269A ,2016-01-27

[9]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

文庚奭 ;

金相壹 ;

金世润 ;

朴喜正 ;

李孝锡 ;

崔在荣 .

中国专利 :CN105321591A ,2016-02-10

[10]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

金世润 ;

金相壹 ;

黄成宇 ;

孙仑喆 ;

赵龙僖 ;

崔在荣 .

中国专利 :CN105304158B ,2016-02-03

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