反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置

被引：0

申请号：

CN202210423984.9

申请日：

2022-04-21

公开(公告)号：

CN115692482A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

朴报恩金容诚宋政奎李周浩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

H01L29423 H01L29788 H10B1200 H01L2364

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

中国专利 :CN113345795A ,2021-09-03

[2]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

韩国专利 :CN113345795B ,2025-07-04

[3]

铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件 [P].

李润姓 ;

金尚昱 ;

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 .

中国专利 :CN112563323A ,2021-03-26

[4]

包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金起弘 ;

崔德铉 ;

李泫宰 ;

赵常玹 .

韩国专利 :CN118159034A ,2024-06-07

[5]

自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路 [P].

邢国忠 ;

王迪 ;

刘龙 ;

林淮 ;

刘明 .

中国专利 :CN114038991A ,2022-02-11

[6]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619A ,2025-04-04

[7]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619B ,2025-09-30

[8]

膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

李龙基 .

中国专利 :CN115537741A ,2022-12-30

[9]

电子器件和电子装置 [P].

王航 .

中国专利 :CN112019180A ,2020-12-01

[10]

电子器件基片结构和电子器件 [P].

野口隆男 ;

斋藤久俊 ;

阿部秀典 ;

山下喜就 .

中国专利 :CN1487563A ,2004-04-07

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