薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011060074.6

申请日：

2020-09-30

公开(公告)号：

CN112582539A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

赵常玹许镇盛李香淑金尚昱李润姓

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L27108

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

金拟粲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P].

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 ;

金尚昱 ;

李润姓 .

韩国专利 :CN112582539B ,2025-03-21

[2]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN112687732B ,2024-02-02

[3]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20

[4]

铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件 [P].

李润姓 ;

金尚昱 ;

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 .

中国专利 :CN112563323A ,2021-03-26

[5]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

金相壹 ;

金世润 ;

文庚奭 ;

黄成宇 ;

孙崙喆 ;

李孝锡 .

中国专利 :CN105280269A ,2016-01-27

[6]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

文庚奭 ;

金相壹 ;

金世润 ;

朴喜正 ;

李孝锡 ;

崔在荣 .

中国专利 :CN105321591A ,2016-02-10

[7]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

金世润 ;

金相壹 ;

黄成宇 ;

孙仑喆 ;

赵龙僖 ;

崔在荣 .

中国专利 :CN105304158B ,2016-02-03

[8]

导电薄膜和包括其的电子器件 [P].

丁度源 ;

朴喜正 ;

孙仑喆 ;

李宇镇 ;

金相壹 ;

崔在荣 .

中国专利 :CN105271280A ,2016-01-27

[9]

薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法 [P].

崔雅净 ;

咸硕圭 ;

朴正一 ;

李容旭 ;

郑钟元 .

中国专利 :CN109309160A ,2019-02-05

[10]

电子器件、制造其的方法和包括其的存储器件 [P].

文泰欢 ;

李银河 ;

金正华 ;

李香淑 ;

赵常玹 ;

许镇盛 .

中国专利 :CN113097303A ,2021-07-09

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