半导体薄膜结构以及包括其的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010337504.8

申请日：

2020-04-26

公开(公告)号：

CN112687732B

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

朴永焕金钟燮金俊溶朴俊赫申东澈吴在浚丁秀真黄瑄珪黄仁俊

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29/20

IPC分类号：

H01L29/205 H01L29/778

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20

[2]

电子器件以及包括其的半导体装置 [P].

宋政奎 ;

金润洙 ;

李周浩 ;

N.韩 .

中国专利 :CN114203904A ,2022-03-18

[3]

薄膜结构、包括其的半导体器件、晶体管以及半导体装置 [P].

崔悳铉 ;

许镇盛 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

中国专利 :CN115440805A ,2022-12-06

[4]

薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P].

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 ;

金尚昱 ;

李润姓 .

韩国专利 :CN112582539B ,2025-03-21

[5]

薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P].

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 ;

金尚昱 ;

李润姓 .

中国专利 :CN112582539A ,2021-03-30

[6]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

中国专利 :CN113345795A ,2021-09-03

[7]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

韩国专利 :CN113345795B ,2025-07-04

[8]

电子器件和包括其的半导体装置 [P].

宋政奎 ;

金润洙 ;

金海龙 ;

朴报恩 ;

李银河 ;

李周浩 ;

李香淑 ;

赵龙僖 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114447222A ,2022-05-06

[9]

半导体结构和半导体器件以及电子器件 [P].

周绍珂 ;

余仁旭 ;

李庆 .

中国专利 :CN222674849U ,2025-03-25

[10]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619A ,2025-04-04

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