电子器件以及包括其的半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110490254.6

申请日：

2021-05-06

公开(公告)号：

CN114203904A

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

宋政奎金润洙李周浩 N.韩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

电子器件和包括其的半导体装置 [P].

宋政奎 ;

金润洙 ;

金海龙 ;

朴报恩 ;

李银河 ;

李周浩 ;

李香淑 ;

赵龙僖 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114447222A ,2022-05-06

[2]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置 [P].

金昌炫 ;

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

申建旭 ;

俞敏硕 .

韩国专利 :CN117423728A ,2024-01-19

[3]

半导体装置、电子器件以及制造半导体装置的方法 [P].

香川惠永 ;

驹井尚纪 .

中国专利 :CN102693992A ,2012-09-26

[4]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20

[5]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN112687732B ,2024-02-02

[6]

半导体电子器件 [P].

D·G·帕蒂 ;

M·萨姆比 ;

F·F·R·托亚 ;

S·D·马里亚尼 ;

E·皮兹 ;

G·巴里拉罗 .

中国专利 :CN209496879U ,2019-10-15

[7]

半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件 [P].

谷元昭 ;

冈本圭史郎 .

中国专利 :CN102651352A ,2012-08-29

[8]

半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备 [P].

许镇盛 ;

文泰欢 ;

裵鹤烈 ;

南胜杰 ;

金尚昱 ;

李光熙 .

中国专利 :CN114551719A ,2022-05-27

[9]

半导体材料、其制备方法以及电子器件 [P].

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

卡斯滕·罗特 ;

本杰明·舒尔策 .

中国专利 :CN111566836A ,2020-08-21

[10]

半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件 [P].

今纯一 .

中国专利 :CN103165556B ,2013-06-19

← 1 2 3 4 5 →