半导体装置、电子器件以及制造半导体装置的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210070103.6
申请日
2012-03-16
公开(公告)号
CN102693992A
公开(公告)日
2012-09-26
发明(设计)人
香川惠永 驹井尚纪
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
吴俊
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件 [P]. 
谷元昭 ;
冈本圭史郎 .
中国专利 :CN102651352A ,2012-08-29
[2]
半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件 [P]. 
今纯一 .
中国专利 :CN103165556B ,2013-06-19
[3]
电子器件以及包括其的半导体装置 [P]. 
宋政奎 ;
金润洙 ;
李周浩 ;
N.韩 .
中国专利 :CN114203904A ,2022-03-18
[4]
半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法 [P]. 
中越英雄 .
中国专利 :CN101449373A ,2009-06-03
[5]
半导体装置、电子器件、电子机器及半导体装置的制造方法 [P]. 
汤泽秀树 .
中国专利 :CN1551341A ,2004-12-01
[6]
半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法 [P]. 
清水浩三 ;
作山诚树 ;
赤松俊也 .
中国专利 :CN103123916B ,2013-05-29
[7]
半导体基板、半导体基板的制造方法、电子器件、以及电子器件的制造方法 [P]. 
西川直宏 ;
中野强 ;
井上孝行 .
中国专利 :CN102792430A ,2012-11-21
[8]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
大贯达也 ;
加藤清 ;
国武宽司 ;
方堂凉太 .
日本专利 :CN118696612A ,2024-09-24
[9]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中泽安孝 ;
岛行德 ;
冈崎健一 ;
肥塚纯一 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN110226219A ,2019-09-10
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
及川欣聪 ;
丸山穗高 ;
乡户宏充 ;
河江大辅 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101800250A ,2010-08-11