一种基于巨磁阻抗效应的转速传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420738143.8

申请日：

2014-11-29

公开(公告)号：

CN204203260U

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

王红洲郑金菊郑建龙刘小雪

申请人：

申请人地址：

321004 浙江省金华市迎宾大道688号（浙江师范大学）

IPC主分类号：

G01P3488

IPC分类号：

代理机构：

北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340

代理人：

韩洪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	授权	授权
2017-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101697377628 IPC(主分类):G01P 3/488 专利号:ZL2014207381438 申请日:20141129 授权公告日:20150311 终止日期:20151129

共 50 条

[1]

一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器 [P].

王三胜 ;

杨慧 .

中国专利 :CN201917649U ,2011-08-03

[2]

一种基于巨磁阻抗效应的磁场梯度传感器 [P].

王三胜 ;

郭强 .

中国专利 :CN104614689A ,2015-05-13

[3]

基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器 [P].

胡松 ;

郑小帆 ;

潘丹丹 ;

金煌煌 ;

赵磊 ;

窦子晴 .

中国专利 :CN120831613A ,2025-10-24

[4]

阵列式巨磁阻抗效应电流传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

汤新岩 ;

张可 ;

任欢 ;

赵学枰 ;

岳鑫隆 ;

黄东岩 .

中国专利 :CN201007728Y ,2008-01-16

[5]

曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器 [P].

周志敏 ;

周勇 ;

陈磊 ;

雷冲 ;

丁文 .

中国专利 :CN101644748A ,2010-02-10

[6]

桥式电阻巨磁阻抗效应磁场传感器 [P].

王晓美 ;

滕云田 ;

王晨 ;

范晓勇 ;

吴琼 ;

张炼 ;

张旸 .

中国专利 :CN203310984U ,2013-11-27

[7]

巨磁阻抗效应二维磁场传感器 [P].

周志敏 .

中国专利 :CN103033770A ,2013-04-10

[8]

阵列式巨磁阻抗效应电流传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

汤新岩 ;

张可 ;

任欢 ;

赵学枰 ;

岳鑫隆 ;

黄东岩 .

中国专利 :CN101038305A ,2007-09-19

[9]

一种巨磁阻抗效应磁敏传感器及制备方法 [P].

黄东亚 ;

杨俊 ;

王跃平 ;

白师豪 .

中国专利 :CN108872889B ,2018-11-23

[10]

一种基于巨磁阻抗效应的三轴平面化磁传感器 [P].

欧阳君 ;

梁进龙 ;

晋芳 ;

王晋超 .

中国专利 :CN109061528A ,2018-12-21

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