一种基于巨磁阻抗效应的三轴平面化磁传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810875668.9

申请日：

2018-08-02

公开(公告)号：

CN109061528A

公开(公告)日：

2018-12-21

发明(设计)人：

欧阳君梁进龙晋芳王晋超

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G01R3306

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智;曹葆青

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	授权	授权
2018-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器 [P].

王三胜 ;

杨慧 .

中国专利 :CN201917649U ,2011-08-03

[2]

一种基于巨磁阻抗效应的磁场梯度传感器 [P].

王三胜 ;

郭强 .

中国专利 :CN104614689A ,2015-05-13

[3]

一种基于巨磁阻抗效应的转速传感器 [P].

王红洲 ;

郑金菊 ;

郑建龙 ;

刘小雪 .

中国专利 :CN204203260U ,2015-03-11

[4]

集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器 [P].

周志敏 ;

周勇 ;

雷冲 ;

陈磊 ;

丁文 .

中国专利 :CN101975934B ,2011-02-16

[5]

桥式电阻巨磁阻抗效应磁场传感器 [P].

王晓美 ;

滕云田 ;

王晨 ;

范晓勇 ;

吴琼 ;

张炼 ;

张旸 .

中国专利 :CN203310984U ,2013-11-27

[6]

一种巨磁阻抗效应磁敏传感器及制备方法 [P].

黄东亚 ;

杨俊 ;

王跃平 ;

白师豪 .

中国专利 :CN108872889B ,2018-11-23

[7]

基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器 [P].

胡松 ;

郑小帆 ;

潘丹丹 ;

金煌煌 ;

赵磊 ;

窦子晴 .

中国专利 :CN120831613A ,2025-10-24

[8]

曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器 [P].

周志敏 ;

周勇 ;

陈磊 ;

雷冲 ;

丁文 .

中国专利 :CN101644748A ,2010-02-10

[9]

巨磁阻抗效应二维磁场传感器 [P].

周志敏 .

中国专利 :CN103033770A ,2013-04-10

[10]

利用巨磁阻效应的磁传感器 [P].

濑山喜彦 ;

饭岛诚 .

中国专利 :CN1213865A ,1999-04-14

← 1 2 3 4 5 →