一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810890739.2

申请日：

2018-08-07

公开(公告)号：

CN108682695A

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

宋迎新朱坤存杨晓亮单维刚沈中堂李东华

申请人：

申请人地址：

250014 山东省济南市历下区和平路51号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

济南诚智商标专利事务所有限公司 37105

代理人：

杨先凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20180807
2018-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

宋迎新 ;

杨晓亮 ;

单维刚 ;

沈中堂 ;

李东华 .

中国专利 :CN208478345U ,2019-02-05

[2]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

何海洋 ;

胡健峰 ;

梁金 .

中国专利 :CN217134380U ,2022-08-05

[3]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN109004023A ,2018-12-14

[4]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN208706656U ,2019-04-05

[5]

一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法 [P].

田李庄 .

中国专利 :CN112151621A ,2020-12-29

[6]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 ;

罗烨辉 .

中国专利 :CN112713199A ,2021-04-27

[7]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

郎金荣 ;

刘奇斌 ;

程小强 .

中国专利 :CN111987139A ,2020-11-24

[8]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN112750896B ,2021-05-04

[9]

碳化硅肖特基二极管 [P].

甘新慧 ;

蒋正勇 ;

朱家从 ;

计建新 ;

盛况 ;

郭清 .

中国专利 :CN111628008A ,2020-09-04

[10]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

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