一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片

被引：0

申请号：

CN202220989006.6

申请日：

2022-04-27

公开(公告)号：

CN217134380U

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

何海洋胡健峰梁金

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D座562室

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2947 H01L2331

代理机构：

南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350

代理人：

徐艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

宋迎新 ;

杨晓亮 ;

单维刚 ;

沈中堂 ;

李东华 .

中国专利 :CN208478345U ,2019-02-05

[2]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

宋迎新 ;

朱坤存 ;

杨晓亮 ;

单维刚 ;

沈中堂 ;

李东华 .

中国专利 :CN108682695A ,2018-10-19

[3]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN208706656U ,2019-04-05

[4]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN109004023A ,2018-12-14

[5]

一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法 [P].

钟宇 ;

来玲玲 ;

苑登文 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 .

中国专利 :CN118016526A ,2024-05-10

[6]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[7]

一种碳化硅肖特基二极管 [P].

陈彤 .

中国专利 :CN207947287U ,2018-10-09

[8]

一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法 [P].

田李庄 .

中国专利 :CN112151621A ,2020-12-29

[9]

新型碳化硅肖特基二极管 [P].

盛况 ;

郭清 ;

邓永辉 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN202009004U ,2011-10-12

[10]

碳化硅肖特基二极管 [P].

甘新慧 ;

蒋正勇 ;

朱家从 ;

计建新 ;

盛况 ;

郭清 .

中国专利 :CN111628008A ,2020-09-04

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