一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821301411.4

申请日：

2018-08-13

公开(公告)号：

CN208706656U

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

李东华杨晓亮宋迎新单维刚

申请人：

申请人地址：

250014 山东省济南市历下区和平路51号

IPC主分类号：

H01L2916

IPC分类号：

H01L21329 H01L29872

代理机构：

济南诚智商标专利事务所有限公司 37105

代理人：

杨先凯

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN109004023A ,2018-12-14

[2]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

何海洋 ;

胡健峰 ;

梁金 .

中国专利 :CN217134380U ,2022-08-05

[3]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

宋迎新 ;

杨晓亮 ;

单维刚 ;

沈中堂 ;

李东华 .

中国专利 :CN208478345U ,2019-02-05

[4]

碳化硅肖特基二极管 [P].

甘新慧 ;

蒋正勇 ;

朱家从 ;

计建新 ;

盛况 ;

郭清 .

中国专利 :CN111628008A ,2020-09-04

[5]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[6]

碳化硅肖特基二极管 [P].

S·迪米特里杰夫 ;

J·韩 .

中国专利 :CN110291646A ,2019-09-27

[7]

一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构及半导体芯片 [P].

陈喜明 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113130665A ,2021-07-16

[8]

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

宋迎新 ;

朱坤存 ;

杨晓亮 ;

单维刚 ;

沈中堂 ;

李东华 .

中国专利 :CN108682695A ,2018-10-19

[9]

超结碳化硅肖特基二极管 [P].

吉炜 .

中国专利 :CN111755531A ,2020-10-09

[10]

新型碳化硅肖特基二极管 [P].

盛况 ;

郭清 ;

邓永辉 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN102569421B ,2012-07-11

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