金属颗粒诱发的绝缘子表面电荷积聚抑制方法及装置

被引：0

申请号：

CN202210960381.2

申请日：

2022-08-11

公开(公告)号：

CN115458258A

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

张星宇张欣伟安义岩梁佳宇刘文斌聂浩

申请人：

申请人地址：

010020 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区绿地腾飞大厦A座601房间

IPC主分类号：

H01B1904

IPC分类号：

H01B1742

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

李圣梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	公开	公开
2022-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 19/04 申请日:20220811

共 50 条

[1]

减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置 [P].

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

周福升 ;

赵晓凤 ;

孙帅 ;

杨贤 ;

宋坤宇 ;

丘欢 ;

李兴旺 ;

王增彬 ;

邰彬 ;

吴勇 .

中国专利 :CN114038636B ,2024-07-12

[2]

减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置 [P].

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

周福升 ;

赵晓凤 ;

孙帅 ;

杨贤 ;

宋坤宇 ;

丘欢 ;

李兴旺 ;

王增彬 ;

邰彬 ;

吴勇 .

中国专利 :CN114038636A ,2022-02-11

[3]

基于线性梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法 [P].

杜伯学 ;

王泽华 ;

李进 ;

冉昭玉 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108320874B ,2018-07-24

[4]

一种抑制直流盆式绝缘子表面电荷积聚的分区涂层方法 [P].

卢镝 ;

高宇 ;

赵慧存 ;

王文渠 ;

黄品皓 ;

刘柏欣 ;

李双影 ;

于之龙 ;

尚琦峰 .

中国专利 :CN120126881A ,2025-06-10

[5]

基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法 [P].

李进 ;

杜伯学 ;

王泽华 ;

冉昭玉 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108695030B ,2018-10-23

[6]

绝缘子表面电荷检测装置及绝缘子表面电荷检测方法 [P].

蒋正龙 ;

付志瑶 ;

王博闻 ;

周翔 ;

曾黎 .

中国专利 :CN117452085A ,2024-01-26

[7]

直流GIL绝缘子表面电荷积聚严重程度快速评估方法 [P].

汪沨 ;

梁芳蔚 ;

陈赦 ;

钟理鹏 ;

翟雨佳 ;

孙秋芹 .

中国专利 :CN113311252A ,2021-08-27

[8]

一种抑制绝缘子表面电荷积聚的非线性材料涂覆方法及其应用 [P].

李枕 ;

高禾 ;

张恒 ;

刘晰雯 ;

齐天宇 ;

孙磊 ;

朱博 ;

刘骥 ;

毕雪飞 .

中国专利 :CN120126882A ,2025-06-10

[9]

一种GIS设备计算绝缘子表面电荷积聚的数值模拟方法 [P].

何勇 ;

腾骁 ;

陈晨 .

中国专利 :CN117634248A ,2024-03-01

[10]

绝缘子表面电荷测量系统 [P].

刘杉 .

中国专利 :CN111650448A ,2020-09-11

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