减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111323218.7

申请日：

2021-11-09

公开(公告)号：

CN114038636A

公开(公告)日：

2022-02-11

发明(设计)人：

黄若栋杨芸熊佳明王国利高超周福升赵晓凤孙帅杨贤宋坤宇丘欢李兴旺王增彬邰彬吴勇

申请人：

申请人地址：

510530 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

IPC主分类号：

H01B1742

IPC分类号：

H01B1700

代理机构：

北京前审知识产权代理有限公司 11760

代理人：

张静;李亮谊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 17/42 申请日:20211109
2022-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置 [P].

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

周福升 ;

赵晓凤 ;

孙帅 ;

杨贤 ;

宋坤宇 ;

丘欢 ;

李兴旺 ;

王增彬 ;

邰彬 ;

吴勇 .

中国专利 :CN114038636B ,2024-07-12

[2]

一种抑制直流盆式绝缘子表面电荷积聚的分区涂层方法 [P].

卢镝 ;

高宇 ;

赵慧存 ;

王文渠 ;

黄品皓 ;

刘柏欣 ;

李双影 ;

于之龙 ;

尚琦峰 .

中国专利 :CN120126881A ,2025-06-10

[3]

盆式绝缘子表面电荷快速测量装置 [P].

陈勉之 ;

李晓 ;

高春嘉 ;

齐波 ;

王伟 ;

庞志开 ;

蔡汉贤 ;

张梦慧 ;

郭倩雯 ;

卢学容 ;

罗伟良 ;

黄飞强 ;

郑方晴 .

中国专利 :CN209264842U ,2019-08-16

[4]

GIS盆式绝缘子表面电荷的屏蔽装置 [P].

周福升 ;

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

宋坤宇 ;

王增彬 ;

杨贤 ;

李兴旺 ;

赵晓凤 ;

邰彬 ;

吴勇 ;

丘欢 ;

洪刚 .

中国专利 :CN113851282A ,2021-12-28

[5]

金属颗粒诱发的绝缘子表面电荷积聚抑制方法及装置 [P].

张星宇 ;

张欣伟 ;

安义岩 ;

梁佳宇 ;

刘文斌 ;

聂浩 .

中国专利 :CN115458258A ,2022-12-09

[6]

GIS盆式绝缘子表面电荷的屏蔽装置 [P].

周福升 ;

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

宋坤宇 ;

王增彬 ;

杨贤 ;

李兴旺 ;

赵晓凤 ;

邰彬 ;

吴勇 ;

丘欢 ;

洪刚 .

中国专利 :CN113851282B ,2024-01-09

[7]

直流GIL绝缘子表面电荷积聚严重程度快速评估方法 [P].

汪沨 ;

梁芳蔚 ;

陈赦 ;

钟理鹏 ;

翟雨佳 ;

孙秋芹 .

中国专利 :CN113311252A ,2021-08-27

[8]

直流GIL盆式绝缘子表面电荷密度测量与观测平台 [P].

周宏扬 ;

马国明 ;

王璁 ;

李成榕 ;

毛乃强 .

中国专利 :CN105785145B ,2016-07-20

[9]

基于线性梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法 [P].

杜伯学 ;

王泽华 ;

李进 ;

冉昭玉 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108320874B ,2018-07-24

[10]

基于双侧表面电势的盆式绝缘子表面电荷反演算法 [P].

何金良 ;

张波 ;

林川杰 ;

李传扬 ;

胡军 ;

李琦 .

中国专利 :CN108362954A ,2018-08-03

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