基于线性梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810217661.8

申请日：

2018-03-16

公开(公告)号：

CN108320874B

公开(公告)日：

2018-07-24

发明(设计)人：

杜伯学王泽华李进冉昭玉梁虎成

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H01B1900

IPC分类号：

H01B1902 H01B1904 C08L6300

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

程小艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 19/00 申请日:20180316
2020-01-07	授权	授权
2018-07-24	公开	公开

共 50 条

[1]

基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法 [P].

李进 ;

杜伯学 ;

王泽华 ;

冉昭玉 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108695030B ,2018-10-23

[2]

基于线性梯度表面处理的环氧树脂绝缘表面电荷抑制方法 [P].

冉昭玉 ;

杜伯学 ;

李进 ;

王泽华 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108359119B ,2018-08-03

[3]

基于∧型梯度表面处理的环氧树脂绝缘表面电荷抑制方法 [P].

李进 ;

杜伯学 ;

冉昭玉 ;

王泽华 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108384041A ,2018-08-10

[4]

基于U型梯度表面处理的环氧树脂绝缘表面电荷抑制方法 [P].

冉昭玉 ;

杜伯学 ;

李进 ;

王泽华 ;

梁虎成 .

中国专利 :CN108470612B ,2018-08-31

[5]

金属颗粒诱发的绝缘子表面电荷积聚抑制方法及装置 [P].

张星宇 ;

张欣伟 ;

安义岩 ;

梁佳宇 ;

刘文斌 ;

聂浩 .

中国专利 :CN115458258A ,2022-12-09

[6]

减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置 [P].

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

周福升 ;

赵晓凤 ;

孙帅 ;

杨贤 ;

宋坤宇 ;

丘欢 ;

李兴旺 ;

王增彬 ;

邰彬 ;

吴勇 .

中国专利 :CN114038636B ,2024-07-12

[7]

减少盆式绝缘子表面电荷积聚的装置 [P].

黄若栋 ;

杨芸 ;

熊佳明 ;

王国利 ;

高超 ;

周福升 ;

赵晓凤 ;

孙帅 ;

杨贤 ;

宋坤宇 ;

丘欢 ;

李兴旺 ;

王增彬 ;

邰彬 ;

吴勇 .

中国专利 :CN114038636A ,2022-02-11

[8]

一种GIS设备计算绝缘子表面电荷积聚的数值模拟方法 [P].

何勇 ;

腾骁 ;

陈晨 .

中国专利 :CN117634248A ,2024-03-01

[9]

一种抑制绝缘子表面电荷积聚的非线性材料涂覆方法及其应用 [P].

李枕 ;

高禾 ;

张恒 ;

刘晰雯 ;

齐天宇 ;

孙磊 ;

朱博 ;

刘骥 ;

毕雪飞 .

中国专利 :CN120126882A ,2025-06-10

[10]

一种抑制直流盆式绝缘子表面电荷积聚的分区涂层方法 [P].

卢镝 ;

高宇 ;

赵慧存 ;

王文渠 ;

黄品皓 ;

刘柏欣 ;

李双影 ;

于之龙 ;

尚琦峰 .

中国专利 :CN120126881A ,2025-06-10

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