一种水合三氧化钨/钨自支撑电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910462002.5

申请日：

2019-05-30

公开(公告)号：

CN110349754B

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

高静佟明兴李玉儒吴世照周俊熹陈晓丹李国华

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

H01G1122

IPC分类号：

H01G1124 H01G1130 H01G1146 H01G1186 C25D1126

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

冷红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 11/22 申请日:20190530
2019-10-18	公开	公开
2021-04-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

方文韬 .

中国专利 :CN110512259A ,2019-11-29

[2]

一种单层水合三氧化钨纳米片及其制备方法 [P].

方岩雄 ;

刘金成 ;

肖业鹏 .

中国专利 :CN107324391B ,2017-11-07

[3]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[4]

一种片状三氧化钨光电极及其制备方法 [P].

李灿 ;

王楠 ;

施晶莹 ;

郑霄家 .

中国专利 :CN104711528A ,2015-06-17

[5]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[6]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[7]

由钨精矿制备三氧化钨的方法 [P].

赵立夫 ;

李红超 ;

徐国钻 .

中国专利 :CN102642871A ,2012-08-22

[8]

一种三氧化钨纳米片及其制备方法 [P].

陈德良 ;

许红亮 ;

王海龙 ;

张锐 ;

卢红霞 .

中国专利 :CN101318702B ,2008-12-10

[9]

一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用 [P].

周保学 ;

陈全鹏 ;

李金花 ;

刘强 ;

李健勇 .

中国专利 :CN102674463B ,2012-09-19

[10]

一种一水合三氧化钨纳米片的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

方晓辰 ;

卓明鹏 ;

谭友德 .

中国专利 :CN106745275A ,2017-05-31

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