一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910730329.6

申请日：

2019-08-08

公开(公告)号：

CN110512259A

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

李国华吴世照方文韬

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

冷红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	公开	公开
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20190808
2020-11-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[2]

一种三氧化钨纳米片的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陈晓丹 ;

吴世照 .

中国专利 :CN111118574A ,2020-05-08

[3]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[4]

一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

周浩 .

中国专利 :CN108034982B ,2019-04-09

[5]

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

马超胜 ;

周浩 ;

刘书杰 .

中国专利 :CN107858734B ,2018-03-30

[6]

一种水合三氧化钨/钨自支撑电极及其制备方法 [P].

高静 ;

佟明兴 ;

李玉儒 ;

吴世照 ;

周俊熹 ;

陈晓丹 ;

李国华 .

中国专利 :CN110349754B ,2019-10-18

[7]

一种纳米氧化铜的电化学制备方法 [P].

万晔 ;

宋熠凯 ;

宋智远 ;

王欢 ;

朱旭 .

中国专利 :CN105803509B ,2016-07-27

[8]

一种电化学制备三氧化二铁的方法 [P].

张丹 ;

李乐 ;

季晓辉 .

中国专利 :CN110424021A ,2019-11-08

[9]

一种纳米铜的电化学制备方法 [P].

万晔 ;

丁晓雯 ;

王欢 ;

宋智远 ;

宋熠凯 .

中国专利 :CN105755507B ,2016-07-13

[10]

三氧化钨纳米材料的制备方法 [P].

张洪文 ;

蔡伟平 ;

贾丽超 .

中国专利 :CN102211789A ,2011-10-12

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