一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711235920.1

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN108034982B

公开(公告)日：

2019-04-09

发明(设计)人：

李国华吴世照周浩

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;朱思兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	授权	授权
2018-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20171130

共 50 条

[1]

一种三氧化钨纳米片的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陈晓丹 ;

吴世照 .

中国专利 :CN111118574A ,2020-05-08

[2]

一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

方文韬 .

中国专利 :CN110512259A ,2019-11-29

[3]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[4]

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

马超胜 ;

周浩 ;

刘书杰 .

中国专利 :CN107858734B ,2018-03-30

[5]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[6]

一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法 [P].

陈军 ;

许卓 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN102874876A ,2013-01-16

[7]

一种氧化钨纳米片的制备方法 [P].

孙喜莲 ;

曹鸿涛 ;

方燕群 .

中国专利 :CN101805023A ,2010-08-18

[8]

一种三氧化钨纳米片的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

方晓辰 ;

施策 ;

尧牡丹 ;

柳丽芸 ;

徐强 ;

叶斌 .

中国专利 :CN107662948A ,2018-02-06

[9]

三氧化钨纳米片复合光阳极的制备方法 [P].

杜荣归 ;

官自超 ;

王海鹏 ;

王霞 .

中国专利 :CN108314085B ,2018-07-24

[10]

一种还原氧化钨纳米片的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

方晓辰 ;

尧牡丹 ;

郭兰玉 .

中国专利 :CN106745276B ,2017-05-31

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