一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111596949.9

申请日：

2021-12-24

公开(公告)号：

CN114059126A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

李国华陆啸丰吴世照

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号

IPC主分类号：

C25D1102

IPC分类号：

C25D1126 C25D908 C25D910

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

冷红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/02 申请日:20211224
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

方文韬 .

中国专利 :CN110512259A ,2019-11-29

[2]

一种三氧化钨纳米片的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陈晓丹 ;

吴世照 .

中国专利 :CN111118574A ,2020-05-08

[3]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[4]

一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

周浩 .

中国专利 :CN108034982B ,2019-04-09

[5]

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

马超胜 ;

周浩 ;

刘书杰 .

中国专利 :CN107858734B ,2018-03-30

[6]

氧化钌电极材料的电化学制备方法 [P].

王杰 ;

徐友龙 ;

马建华 ;

张选红 ;

蒙林斌 ;

彭丹 .

中国专利 :CN102176385A ,2011-09-07

[7]

三氧化钨纳米材料的制备方法 [P].

张洪文 ;

蔡伟平 ;

贾丽超 .

中国专利 :CN102211789A ,2011-10-12

[8]

一种水合三氧化钨/钨自支撑电极及其制备方法 [P].

高静 ;

佟明兴 ;

李玉儒 ;

吴世照 ;

周俊熹 ;

陈晓丹 ;

李国华 .

中国专利 :CN110349754B ,2019-10-18

[9]

纳米二氧化铈的电化学制备方法 [P].

潘湛昌 ;

肖楚民 ;

张环华 ;

张风林 ;

王成勇 .

中国专利 :CN1789496A ,2006-06-21

[10]

一种金纳米平面电极的电化学制备方法 [P].

吴晨硕 ;

张颖朦 .

中国专利 :CN119268735A ,2025-01-07

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