一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711067628.3

申请日：

2017-11-03

公开(公告)号：

CN107858734B

公开(公告)日：

2018-03-30

发明(设计)人：

李国华吴世照马超胜周浩刘书杰

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;朱思兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20171103
2019-10-29	授权	授权
2018-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[2]

一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

周浩 .

中国专利 :CN108034982B ,2019-04-09

[3]

一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

方文韬 .

中国专利 :CN110512259A ,2019-11-29

[4]

一种三氧化钨纳米片的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陈晓丹 ;

吴世照 .

中国专利 :CN111118574A ,2020-05-08

[5]

一种制备三氧化钨薄膜的方法 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

郑善亮 .

中国专利 :CN101608293B ,2009-12-23

[6]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[7]

一种纳米三氧化钨薄膜的制备方法 [P].

陈启元 ;

李洁 ;

李文章 ;

刘立阳 .

中国专利 :CN101734866A ,2010-06-16

[8]

一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法 [P].

李远刚 ;

冯娟 ;

李华静 ;

张卓 ;

杨淑丽 ;

史永宏 ;

魏小亮 ;

王荣荣 .

中国专利 :CN105274503A ,2016-01-27

[9]

一种电化学沉积法制备氧化钨电致变色薄膜的方法 [P].

姚爱华 ;

貌俊达 ;

耿磊 .

中国专利 :CN112441750A ,2021-03-05

[10]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

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