一种三氧化钨纳米片的电化学制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010040044.2

申请日：

2020-01-15

公开(公告)号：

CN111118574A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

李国华陈晓丹吴世照

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

冷红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2021-03-02	授权	授权
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20200115

共 50 条

[1]

一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

周浩 .

中国专利 :CN108034982B ,2019-04-09

[2]

一种水合三氧化钨纳米花的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

方文韬 .

中国专利 :CN110512259A ,2019-11-29

[3]

一种三氧化钨溶胶的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

王俊 .

中国专利 :CN110508221B ,2019-11-29

[4]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[5]

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法 [P].

李国华 ;

吴世照 ;

马超胜 ;

周浩 ;

刘书杰 .

中国专利 :CN107858734B ,2018-03-30

[6]

一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法 [P].

陈军 ;

许卓 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN102874876A ,2013-01-16

[7]

一种β-三氟甲基酰胺类化合物的电化学制备方法 [P].

黄玉冰 ;

卢景俊 ;

江虹 ;

李亦彪 ;

朱忠智 ;

陈修文 .

中国专利 :CN109972165B ,2019-07-05

[8]

一种三氧化钨纳米片的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

方晓辰 ;

施策 ;

尧牡丹 ;

柳丽芸 ;

徐强 ;

叶斌 .

中国专利 :CN107662948A ,2018-02-06

[9]

一种少层黑磷纳米片的电化学制备方法 [P].

钟博 ;

刘越 ;

邹佳欣 ;

刘冬冬 ;

夏龙 ;

张涛 ;

姜大海 .

中国专利 :CN113772642A ,2021-12-10

[10]

一种电化学制备超薄石墨烯纳米片的方法 [P].

蒋鸿辉 ;

梁彤祥 ;

邓义群 .

中国专利 :CN108423663A ,2018-08-21

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