处理半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911265686.6

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN111326450A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

张成根林钟吉权炳仁

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L21677 G03F709 G03F726

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

彭辉剑;龚慧惠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20191211
2020-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法 [P].

王彩虹 ;

金乐群 ;

胡林 ;

赵新民 ;

周孟兴 .

中国专利 :CN102496558A ,2012-06-13

[2]

一种半导体晶圆光刻胶涂布装置 [P].

由振琪 .

中国专利 :CN215918024U ,2022-03-01

[3]

光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

崔栽荣 ;

丁明正 ;

贺晓彬 ;

刘强 ;

王桂磊 ;

白国斌 .

中国专利 :CN114690564A ,2022-07-01

[4]

降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法 [P].

王雷 ;

黄玮 .

中国专利 :CN101458462A ,2009-06-17

[5]

一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P].

罗启祥 ;

高梁 .

中国专利 :CN120605843A ,2025-09-09

[6]

一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P].

李国平 .

中国专利 :CN118950393A ,2024-11-15

[7]

一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P].

李国平 .

中国专利 :CN118950393B ,2024-12-31

[8]

晶圆上光刻胶的去除方法及半导体工艺设备 [P].

李孟 ;

孔宇威 ;

林源为 .

中国专利 :CN119511654A ,2025-02-25

[9]

光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

金在植 ;

张成根 ;

林锺吉 ;

贺晓彬 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114054287A ,2022-02-18

[10]

一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液 [P].

江富杰 ;

张飞凡 .

中国专利 :CN107664930A ,2018-02-06

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