三维异质集成系统及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810186665.4

申请日：

2018-03-07

公开(公告)号：

CN108428669B

公开(公告)日：

2018-08-21

发明(设计)人：

马晓华郝跃赵子越祝杰杰易楚朋陈伟伟

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L218258

IPC分类号：

H01L2706

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	公开	公开
2018-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8258 申请日:20180307
2020-02-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8258 变更事项:发明人变更前:马晓华郝跃赵子越祝杰杰易楚朋变更后:马晓华郝跃赵子越祝杰杰易楚朋陈伟伟
2020-11-17	授权	授权

共 50 条

[21]

集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法 [P].

何洪文 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN104009014B ,2014-08-27

[22]

一种连接器用三维异质集成功能器件及其制造方法 [P].

乔正阳 ;

汤海燕 ;

李江 ;

胡裕庚 ;

刘小天 ;

刘贲 .

中国专利 :CN119920790A ,2025-05-02

[23]

三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法 [P].

董刚 ;

李秀慧 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107240578B ,2017-10-10

[24]

一种三维封装碳化硅功率模块及其制作方法 [P].

王振宇 ;

王伯兴 ;

李伟 ;

李欣萌 ;

赵晓亮 .

中国专利 :CN114899163A ,2022-08-12

[25]

一种三维封装碳化硅功率模块及其制作方法 [P].

王振宇 ;

王伯兴 ;

李伟 ;

李欣萌 ;

赵晓亮 .

中国专利 :CN114899163B ,2025-11-21

[26]

半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统 [P].

王攀 ;

李兆松 ;

孔翠翠 ;

许宗珂 .

中国专利 :CN114944396A ,2022-08-26

[27]

三维对象及其制造方法 [P].

简·欧普绍尔 ;

雅各布·简·萨乌尔沃尔特 .

中国专利 :CN113226714A ,2021-08-06

[28]

三维对象及其制造方法 [P].

简·欧普绍尔 ;

雅各布·简·萨乌尔沃尔特 .

:CN113226714B ,2024-03-19

[29]

三维制品及其制备方法 [P].

E·K·L·Y·哈吉梅 ;

J·D·克拉珀 ;

K·J·哈尔弗森 ;

姜明灿 .

中国专利 :CN108472862B ,2018-08-31

[30]

三维制品及其制备方法 [P].

E·K·L·Y·哈吉梅 ;

J·D·克拉珀 ;

K·J·哈尔威森 ;

姜明灿 .

中国专利 :CN108430739A ,2018-08-21

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