热等静压法制备Ti2SbP块体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611157600.4

申请日：

2016-12-15

公开(公告)号：

CN106699180A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

严明杨磊杨熠陈艳林

申请人：

申请人地址：

430068 湖北省武汉市洪山区南李路28号

IPC主分类号：

C04B35515

IPC分类号：

C04B35626 C04B35622 C04B35645

代理机构：

武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220

代理人：

朱必武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727783094 IPC(主分类):C04B 35/515 专利申请号:2016111576004 申请日:20161215
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/515 申请公布日:20170524
2017-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种无压合成Ti2SbP粉体材料的方法 [P].

严明 ;

杨磊 ;

杨熠 ;

陈艳林 .

中国专利 :CN106518076A ,2017-03-22

[2]

自蔓延准热等静压制备大尺寸高纯Ti3AlC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

李翀 .

中国专利 :CN100510128C ,2006-08-30

[3]

一步热等静压法制备钨铜穿管的方法 [P].

梁永仁 ;

毕琼 ;

丁辉 ;

冯基伟 ;

何降坛 ;

王贤青 ;

徐亮 ;

刘佳伟 ;

关越 .

中国专利 :CN119819930A ,2025-04-15

[4]

激光熔融法制备热敏块体材料的方法 [P].

任卫 ;

刘贤海 ;

樊维涛 ;

王伟丽 ;

丁书剑 ;

翁祥 ;

刘广辉 .

中国专利 :CN118894715A ,2024-11-05

[5]

采用热等静压方法制备硅酸亚铁锂正极材料的方法 [P].

张猛 ;

张运强 ;

陈科委 ;

刘成 ;

王改民 ;

闫国进 .

中国专利 :CN103915627A ,2014-07-09

[6]

热等静压法制备Ni基合金复合基带 [P].

邱火勤 ;

索红莉 ;

寇生中 ;

马麟 ;

刘敏 ;

王丽敏 ;

袁冬梅 ;

王营霞 .

中国专利 :CN101850422B ,2010-10-06

[7]

一种热等静压法制备铍钨合金的方法 [P].

蒋世城 ;

夏维广 ;

孔晓亮 ;

郑文雷 ;

徐小峰 .

中国专利 :CN120272797A ,2025-07-08

[8]

一种基于热等静压法制备铪钛酸铅基陶瓷材料的方法 [P].

唐华 ;

李璐 ;

程江 .

中国专利 :CN113213925A ,2021-08-06

[9]

一种合成高纯Ti4AlN3块体材料的方法 [P].

宋京红 ;

严明 ;

梅炳初 ;

朱教群 ;

田晨光 .

中国专利 :CN100515951C ,2007-10-24

[10]

热等静压罐的端板、热等静压罐和热等静压方法 [P].

P.利佩茨基 ;

J.F.佩雷兹 ;

E.A.科索尔 ;

J-P.A.托马斯 .

中国专利 :CN103958096B ,2014-07-30

← 1 2 3 4 5 →