自蔓延准热等静压制备大尺寸高纯Ti3AlC2块体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610009694.0

申请日：

2006-02-08

公开(公告)号：

CN100510128C

公开(公告)日：

2006-08-30

发明(设计)人：

赫晓东朱春城李翀

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C22C104

IPC分类号：

C22C2906

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人：

牟永林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-30	公开	公开
2009-07-08	授权	授权
2012-04-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101225310202 IPC(主分类):C22C 1/04 专利号:ZL2006100096940 申请日:20060208 授权公告日:20090708 终止日期:20110208

共 14 条

[1]

一种高纯Ti3AlC2块体材料的制备方法 [P].

贾磊 ;

吕振林 ;

谢辉 ;

方佳 ;

程逞 .

中国专利 :CN102992767B ,2013-03-27

[2]

热等静压法制备Ti2SbP块体材料的方法 [P].

严明 ;

杨磊 ;

杨熠 ;

陈艳林 .

中国专利 :CN106699180A ,2017-05-24

[3]

一种高纯Ti3AlC2陶瓷的制备方法 [P].

艾桃桃 ;

冯小明 ;

赵卓玲 .

中国专利 :CN102060535A ,2011-05-18

[4]

一种合成高纯Ti4AlN3块体材料的方法 [P].

宋京红 ;

严明 ;

梅炳初 ;

朱教群 ;

田晨光 .

中国专利 :CN100515951C ,2007-10-24

[5]

等离子/自蔓延高温合成/准热等静压法工艺制备金属陶瓷涂层材料的方法 [P].

赵红 ;

麒麟 ;

王维 ;

李永 ;

胡海龙 .

中国专利 :CN101869985B ,2010-10-27

[6]

一种高纯Ti2AlC粉体材料及其制备方法 [P].

周卫兵 ;

梅炳初 ;

朱教群 .

中国专利 :CN101037201A ,2007-09-19

[7]

制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

柏跃磊 .

中国专利 :CN101186296B ,2008-05-28

[8]

一种原位合成制备高纯GdH2块体材料的方法 [P].

张久兴 ;

曾宏 ;

岳明 ;

刘丹敏 ;

周身林 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN100386337C ,2006-07-19

[9]

一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法 [P].

杨军 ;

刘维民 ;

王帅 ;

乔竹辉 ;

李茂华 ;

程军 ;

朱圣宇 ;

龙泽荣 .

中国专利 :CN107056301B ,2017-08-18

[10]

一种Cr3C2块体材料的制备方法 [P].

张久兴 ;

孙大鹏 ;

汤忠彪 ;

韩翠柳 ;

农滨荣 ;

吴镇旺 .

中国专利 :CN114835496A ,2022-08-02