一种原位合成制备高纯GdH2块体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002053.2

申请日：

2006-01-24

公开(公告)号：

CN100386337C

公开(公告)日：

2006-07-19

发明(设计)人：

张久兴曾宏岳明刘丹敏周身林左铁镛

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C07F1700

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-19	公开	公开
2006-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101416718240 IPC(主分类):C07F 17/00 专利号:ZL2006100020532 申请日:20060124 授权公告日:20080507 终止日期:20120124
2008-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

高纯纳米晶LaB6块体材料的原位合成方法 [P].

张久兴 ;

曾宏 ;

周身林 ;

刘丹敏 ;

岳明 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1896001A ,2007-01-17

[2]

一种高纯Ti3AlC2块体材料的制备方法 [P].

贾磊 ;

吕振林 ;

谢辉 ;

方佳 ;

程逞 .

中国专利 :CN102992767B ,2013-03-27

[3]

一种合成高纯Ti4AlN3块体材料的方法 [P].

宋京红 ;

严明 ;

梅炳初 ;

朱教群 ;

田晨光 .

中国专利 :CN100515951C ,2007-10-24

[4]

一种高纯超细纳米晶镥块体材料的制备方法 [P].

宋晓艳 ;

邓韵文 ;

乔印凯 .

中国专利 :CN103273069A ,2013-09-04

[5]

一种Cr3C2块体材料的制备方法 [P].

张久兴 ;

孙大鹏 ;

汤忠彪 ;

韩翠柳 ;

农滨荣 ;

吴镇旺 .

中国专利 :CN114835496A ,2022-08-02

[6]

一种高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料的制备方法 [P].

张久兴 ;

周身林 ;

刘丹敏 .

中国专利 :CN101372339A ,2009-02-25

[7]

一种多孔TiO2块体材料的制备方法 [P].

伍媛婷 ;

栗梦龙 ;

仝轩 ;

江红涛 .

中国专利 :CN105753046A ,2016-07-13

[8]

一种制备高纯稀土长余辉块体材料的方法 [P].

瞿志学 ;

徐晓伟 ;

范慧俐 ;

郑延军 ;

李玉萍 .

中国专利 :CN1243076C ,2005-01-12

[9]

一种单相纳米晶Mn2N0.86块体材料的制备方法 [P].

宋晓艳 ;

徐玲玲 ;

孙中华 .

中国专利 :CN102120566B ,2011-07-13

[10]

自蔓延准热等静压制备大尺寸高纯Ti3AlC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

李翀 .

中国专利 :CN100510128C ,2006-08-30

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