一种合成高纯Ti4AlN3块体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710051875.4

申请日：

2007-04-13

公开(公告)号：

CN100515951C

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

宋京红严明梅炳初朱教群田晨光

申请人：

申请人地址：

430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C01G100

IPC分类号：

C01G2300 C01F700 C01B2100

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：

唐万荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-24	公开	公开
2013-06-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101467722219 IPC(主分类):C01G 1/00 专利号:ZL2007100518754 申请日:20070413 授权公告日:20090722 终止日期:20120413
2007-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高纯Ti3AlC2块体材料的制备方法 [P].

贾磊 ;

吕振林 ;

谢辉 ;

方佳 ;

程逞 .

中国专利 :CN102992767B ,2013-03-27

[2]

高纯纳米晶LaB6块体材料的原位合成方法 [P].

张久兴 ;

曾宏 ;

周身林 ;

刘丹敏 ;

岳明 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1896001A ,2007-01-17

[3]

一种无压合成Ti2SbP粉体材料的方法 [P].

严明 ;

杨磊 ;

杨熠 ;

陈艳林 .

中国专利 :CN106518076A ,2017-03-22

[4]

一种原位合成制备高纯GdH2块体材料的方法 [P].

张久兴 ;

曾宏 ;

岳明 ;

刘丹敏 ;

周身林 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN100386337C ,2006-07-19

[5]

自蔓延准热等静压制备大尺寸高纯Ti3AlC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

李翀 .

中国专利 :CN100510128C ,2006-08-30

[6]

一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法 [P].

史晓亮 ;

彭美超 ;

章桥新 ;

祝志伟 ;

王莽 ;

冯四平 ;

秦海波 .

中国专利 :CN102241514A ,2011-11-16

[7]

一种微波合成Ti2AlC块体材料的方法 [P].

王顺 ;

王晖 ;

王仁杰 ;

关春龙 ;

刘玉明 ;

张莹莹 ;

牛放 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN109251033A ,2019-01-22

[8]

一种合成高纯Ti3SiC2的方法 [P].

吴琼 ;

杨占鑫 ;

齐国超 ;

李庆文 ;

刘志豪 ;

胡竟宇 .

中国专利 :CN110128145A ,2019-08-16

[9]

原位热压合成致密Ti3SiC2－Al2O3复合块体材料的方法 [P].

梅炳初 ;

朱教群 ;

赵莉 ;

周卫兵 .

中国专利 :CN1273410C ,2005-08-17

[10]

一种Cr3C2块体材料的制备方法 [P].

张久兴 ;

孙大鹏 ;

汤忠彪 ;

韩翠柳 ;

农滨荣 ;

吴镇旺 .

中国专利 :CN114835496A ,2022-08-02

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