一种合成高纯Ti3SiC2的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910562986.4

申请日：

2019-06-26

公开(公告)号：

CN110128145A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

吴琼杨占鑫齐国超李庆文刘志豪胡竟宇

申请人：

申请人地址：

121000 辽宁省锦州市古塔区士英街169号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616

代理人：

许羽冬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20190626

共 50 条

[1]

一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法 [P].

史晓亮 ;

彭美超 ;

章桥新 ;

祝志伟 ;

王莽 ;

冯四平 ;

秦海波 .

中国专利 :CN102241514A ,2011-11-16

[2]

一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张翔宇 ;

王震 ;

何平 ;

高乐 ;

胡建宝 ;

胡志辉 .

中国专利 :CN102530945A ,2012-07-04

[3]

一种Ti3SiC2粉体的合成方法 [P].

程本军 ;

熊健 ;

张少伟 ;

叶尔波拉提·阿尔米亚 .

中国专利 :CN108358205B ,2018-08-03

[4]

单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 [P].

陈青云 ;

徐贝贝 ;

李珺宁 ;

张锐 ;

熊玲珊 ;

王再宏 .

中国专利 :CN108341670B ,2018-07-31

[5]

一种熔渗烧结制备Ti3SiC2材料的方法 [P].

吕振林 ;

邢志国 ;

李开雄 .

中国专利 :CN101423395B ,2009-05-06

[6]

一种承压制备Ti3SiC2陶瓷的反向热膨胀合成法 [P].

刘博 ;

杨殿来 ;

许壮志 ;

薛健 ;

张明 ;

周岩 ;

李磊 ;

岳鑫 .

中国专利 :CN107778009A ,2018-03-09

[7]

一种六方层状结构Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

李长生 ;

吴琼 ;

唐华 ;

杨峰 ;

宋新亚 ;

刘万章 .

中国专利 :CN102180673A ,2011-09-14

[8]

原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法 [P].

李世波 ;

向卫华 ;

周洋 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN101269966A ,2008-09-24

[9]

Ti3SiC2‑Co基金刚石超薄锯片材料的制备方法 [P].

董洪峰 ;

郭从盛 ;

谭宏斌 .

中国专利 :CN104907564B ,2015-09-16

[10]

一种高纯Ti3AlC2陶瓷的制备方法 [P].

艾桃桃 ;

冯小明 ;

赵卓玲 .

中国专利 :CN102060535A ,2011-05-18

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