一种承压制备Ti3SiC2陶瓷的反向热膨胀合成法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610729093.0

申请日：

2016-08-26

公开(公告)号：

CN107778009A

公开(公告)日：

2018-03-09

发明(设计)人：

刘博杨殿来许壮志薛健张明周岩李磊岳鑫

申请人：

申请人地址：

110142 辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B35626 C04B3564

代理机构：

沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229

代理人：

甄玉荃

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20160826
2021-04-20	授权	授权
2018-03-09	公开	公开
2021-04-06	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C04B 35/56 变更事项:申请人变更前:辽宁省轻工科学研究院变更后:辽宁省轻工科学研究院有限公司变更事项:地址变更前:110142 辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号变更后:110142 辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号

共 50 条

[1]

一种Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

王芬 ;

刘波波 ;

朱建锋 ;

杨志波 ;

许红娅 ;

薛小霜 ;

李强 .

中国专利 :CN101624287A ,2010-01-13

[2]

单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 [P].

陈青云 ;

徐贝贝 ;

李珺宁 ;

张锐 ;

熊玲珊 ;

王再宏 .

中国专利 :CN108341670B ,2018-07-31

[3]

一种合成高纯Ti3SiC2的方法 [P].

吴琼 ;

杨占鑫 ;

齐国超 ;

李庆文 ;

刘志豪 ;

胡竟宇 .

中国专利 :CN110128145A ,2019-08-16

[4]

一种大尺寸Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

单迪 ;

闫果 ;

周廉 ;

王庆阳 ;

刘国庆 ;

焦高峰 ;

熊晓梅 ;

杨芳 .

中国专利 :CN102206079A ,2011-10-05

[5]

一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张翔宇 ;

王震 ;

何平 ;

高乐 ;

胡建宝 ;

胡志辉 .

中国专利 :CN102530945A ,2012-07-04

[6]

一种原位(TiB2+SiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨建 ;

宋凯 ;

丘泰 ;

潘丽梅 .

中国专利 :CN102173802B ,2011-09-07

[7]

(TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨建 ;

顾巍 ;

丘泰 .

中国专利 :CN101555137B ,2009-10-14

[8]

一种无TiC杂质的含铝Ti3SiC2材料的制备方法 [P].

周延春 ;

张海斌 ;

刘明月 ;

闫程科 ;

王京阳 .

中国专利 :CN1234641C ,2004-12-08

[9]

一种六方层状结构Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

李长生 ;

吴琼 ;

唐华 ;

杨峰 ;

宋新亚 ;

刘万章 .

中国专利 :CN102180673A ,2011-09-14

[10]

一种Cu/Ti3SiC2电接触材料及其制备工艺 [P].

倪树春 ;

王英杰 ;

刘新志 ;

严久江 ;

何肖冰 .

中国专利 :CN101345143A ,2009-01-14

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