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一种用于抛光半导体基材的软性抛光垫
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202122102205.9
申请日
:
2021-09-02
公开(公告)号
:
CN215659669U
公开(公告)日
:
2022-01-28
发明(设计)人
:
刘超超
高娟
申请人
:
申请人地址
:
201400 上海市奉贤区奉城南奉公路686号4幢
IPC主分类号
:
B24B3720
IPC分类号
:
B24B3726
代理机构
:
芜湖市昌强专利代理事务所(特殊普通合伙) 34203
代理人
:
周渭铭
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-28
授权
授权
共 50 条
[1]
用于抛光半导体基材的软性抛光垫
[P].
W·阿利森
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W·阿利森
;
D·斯科特
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D·斯科特
;
R·科普里希
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R·科普里希
;
P·黄
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P·黄
;
R·弗伦泽尔
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R·弗伦泽尔
.
中国专利
:CN103097080A
,2013-05-08
[2]
半导体基材的抛光垫
[P].
斯利拉姆·P·安朱
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斯利拉姆·P·安朱
;
罗兰·K·塞维拉
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罗兰·K·塞维拉
;
弗兰克·B·考夫曼
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弗兰克·B·考夫曼
.
中国专利
:CN1316940A
,2001-10-10
[3]
半导体基材的抛光垫
[P].
斯利拉姆·P·安朱
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斯利拉姆·P·安朱
;
威廉·C·唐宁
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威廉·C·唐宁
.
中国专利
:CN1316939A
,2001-10-10
[4]
半导体抛光垫
[P].
阚开乐
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机构:
深圳市鑫德普科技有限公司
深圳市鑫德普科技有限公司
阚开乐
.
中国专利
:CN308980416S
,2024-12-03
[5]
抛光垫以及抛光半导体晶片的方法
[P].
J·施万德纳
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J·施万德纳
;
R·柯普尔特
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R·柯普尔特
.
中国专利
:CN101927455B
,2010-12-29
[6]
一种半导体抛光用抛光垫削边装置
[P].
宋志强
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宋志强
;
刘兴达
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刘兴达
;
柯尊斌
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柯尊斌
;
王卿伟
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王卿伟
.
中国专利
:CN217256577U
,2022-08-23
[7]
抛光垫及抛光半导体晶片的方法
[P].
青井裕美
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青井裕美
;
志保浩司
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志保浩司
;
长谷川亨
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长谷川亨
;
川桥信夫
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川桥信夫
.
中国专利
:CN1569398A
,2005-01-26
[8]
用于半导体底物的抛光垫
[P].
罗兰·K·塞维拉
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罗兰·K·塞维拉
;
弗兰克·B·考夫曼
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弗兰克·B·考夫曼
;
斯里拉姆·P·安卓
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斯里拉姆·P·安卓
.
中国专利
:CN1258241A
,2000-06-28
[9]
用于抛光半导体晶片的抛光垫、层叠体和方法
[P].
志保洁司
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志保洁司
;
保坂幸生
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保坂幸生
;
长谷川亨
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长谷川亨
;
川桥信夫
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川桥信夫
.
中国专利
:CN100424830C
,2006-05-31
[10]
具有抛光垫温度控制的半导体衬底抛光
[P].
池田正章
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池田正章
.
中国专利
:CN115699250A
,2023-02-03
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