用于半导体底物的抛光垫

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98805585.6

申请日：

1998-04-17

公开(公告)号：

CN1258241A

公开(公告)日：

2000-06-28

发明(设计)人：

罗兰·K·塞维拉弗兰克·B·考夫曼斯里拉姆·P·安卓

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

B24D332

IPC分类号：

B24B3704 B24D1314

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

巫肖南

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-07-12	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-10-04	著录项目变更	著录项目变更变更事项:申请人变更前:卡伯特公司变更后:卡伯特微电子公司变更事项:地址变更前:美国马萨诸塞州变更后:美国伊利诺伊州
2004-04-21	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2000-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基材的抛光垫 [P].

斯利拉姆·P·安朱 ;

威廉·C·唐宁 .

中国专利 :CN1316939A ,2001-10-10

[2]

用于抛光半导体基材的软性抛光垫 [P].

W·阿利森 ;

D·斯科特 ;

R·科普里希 ;

P·黄 ;

R·弗伦泽尔 .

中国专利 :CN103097080A ,2013-05-08

[3]

半导体抛光垫 [P].

阚开乐 .

中国专利 :CN308980416S ,2024-12-03

[4]

半导体基材的抛光垫 [P].

斯利拉姆·P·安朱 ;

罗兰·K·塞维拉 ;

弗兰克·B·考夫曼 .

中国专利 :CN1316940A ,2001-10-10

[5]

用于修整半导体晶片抛光垫的装置 [P].

陈政炳 ;

陈世忠 ;

彭升泰 ;

陈鸿霖 .

中国专利 :CN112440209A ,2021-03-05

[6]

半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫 [P].

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1592955A ,2005-03-09

[7]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[8]

抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN101927455B ,2010-12-29

[9]

一种用于抛光半导体基材的软性抛光垫 [P].

刘超超 ;

高娟 .

中国专利 :CN215659669U ,2022-01-28

[10]

用于抛光半导体晶片的抛光垫、层叠体和方法 [P].

志保洁司 ;

保坂幸生 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN100424830C ,2006-05-31

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