电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310122343.7

申请日：

2003-12-16

公开(公告)号：

CN1630149A

公开(公告)日：

2005-06-22

发明(设计)人：

胡小华李宝霞朱洪亮王圩

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-06-22	公开	公开
2007-05-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 [P].

汪洋 ;

赵玲娟 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102055133B ,2011-05-11

[2]

分布反馈半导体激光器 [P].

奚燕萍 ;

李洵 ;

王莹 ;

付志明 ;

匡国华 .

中国专利 :CN105322437A ,2016-02-10

[3]

分布反馈半导体激光器与电吸收调制器集成光源及制法 [P].

罗毅 ;

王健 ;

孙长征 ;

熊兵 .

中国专利 :CN1452284A ,2003-10-29

[4]

电吸收调制半导体激光器及其制备方法 [P].

李鸿建 ;

郭娟 .

中国专利 :CN120527755B ,2025-11-18

[5]

电吸收调制半导体激光器及其制备方法 [P].

李鸿建 ;

郭娟 .

中国专利 :CN120527755A ,2025-08-22

[6]

半导体激光器件及其制作方法 [P].

大久保伸洋 ;

国政文枝 .

中国专利 :CN1285149C ,2004-09-01

[7]

增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法 [P].

李健 ;

韦欣 ;

李川川 .

中国专利 :CN113471812A ,2021-10-01

[8]

一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法 [P].

周亚亭 ;

陈向飞 .

中国专利 :CN102403651A ,2012-04-04

[9]

可调谐半导体激光器的制作方法及可调谐半导体激光器 [P].

董雷 ;

张瑞康 .

中国专利 :CN101227061A ,2008-07-23

[10]

InP半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN114937922B ,2024-09-06

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