InP半导体激光器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210760657.2

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN114937922B

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

剌晓波李振宇梁松

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/10

IPC分类号：

H01S5/22

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

InP半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN114937922A ,2022-08-23

[2]

掩埋结构半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN115133402B ,2024-08-27

[3]

掩埋结构半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN115133402A ,2022-09-30

[4]

半导体激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

龙浩 ;

郭娟 .

中国专利 :CN114421280B ,2022-04-29

[5]

半导体激光器及其制作方法 [P].

梁松 ;

剌晓波 .

中国专利 :CN111244756B ,2020-06-05

[6]

一种InP基半导体激光器的制作方法 [P].

李洋洋 ;

张志伟 ;

王科峰 .

中国专利 :CN117691470A ,2024-03-12

[7]

半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

刘建平 ;

田爱琴 ;

冯美鑫 ;

张峰 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785912B ,2017-05-31

[8]

半导体激光器及其制作方法 [P].

永井丰 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1093836A ,1994-10-19

[9]

半导体激光器及其制作方法 [P].

黄莹 ;

刘建平 ;

程洋 ;

黄思溢 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106887789A ,2017-06-23

[10]

半导体激光器及其制作方法 [P].

木户口勲 ;

足立秀人 ;

熊渕康仁 ;

鬼头雅弘 ;

夈雅博 .

中国专利 :CN1189927A ,1998-08-05

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