半导体器件铜电极的图形化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610150978.1

申请日：

2006-11-01

公开(公告)号：

CN1945799A

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

王颖曹菲赵春晖

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213213 H01L21768

代理机构：

哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司

代理人：

祖玉清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	授权	授权
2007-04-11	公开	公开
2012-12-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101372517643 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101509781 申请日:20061101 授权公告日:20090701 终止日期:20111101
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体图形化方法 [P].

尚飞 ;

何其暘 .

中国专利 :CN104425211B ,2015-03-18

[2]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 .

中国专利 :CN111668155A ,2020-09-15

[3]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

金吉松 ;

蒋斌杰 ;

杨伟娜 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111952154A ,2020-11-17

[4]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 ;

熊鹏 .

中国专利 :CN111668156A ,2020-09-15

[5]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

金吉松 ;

蒋斌杰 ;

杨伟娜 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111952154B ,2025-04-22

[6]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 .

中国专利 :CN111668099A ,2020-09-15

[7]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 ;

熊鹏 .

中国专利 :CN112053947A ,2020-12-08

[8]

自对准图形化方法及半导体器件 [P].

陈圣 ;

田伟 ;

张超 .

中国专利 :CN114496742A ,2022-05-13

[9]

膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法 [P].

李翔 ;

谢志平 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN114334642A ,2022-04-12

[10]

图形化基底的制备方法、图形化基底及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN119317251A ,2025-01-14

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