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图形化基底的制备方法、图形化基底及半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310841787.3
申请日
:
2023-07-10
公开(公告)号
:
CN119317251A
公开(公告)日
:
2025-01-14
发明(设计)人
:
林源为
申请人
:
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
H10H20/01
IPC分类号
:
H10H20/82
代理机构
:
北京思创毕升专利事务所 11218
代理人
:
廉莉莉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-07
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20230710
2025-01-14
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体图形化方法
[P].
尚飞
论文数:
0
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0
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尚飞
;
何其暘
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何其暘
.
中国专利
:CN104425211B
,2015-03-18
[2]
图形化的半导体基底及其制备方法和微纳光电/光子器件
[P].
万青
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
万青
;
朱一新
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
朱一新
;
喻志奎
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0
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
喻志奎
.
中国专利
:CN119156112A
,2024-12-17
[3]
自对准图形化方法及半导体器件
[P].
陈圣
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0
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陈圣
;
田伟
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田伟
;
张超
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张超
.
中国专利
:CN114496742A
,2022-05-13
[4]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
施维
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施维
;
胡友存
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胡友存
;
汤霞梅
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汤霞梅
.
中国专利
:CN111668155A
,2020-09-15
[5]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
金吉松
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0
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0
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金吉松
;
蒋斌杰
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蒋斌杰
;
杨伟娜
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杨伟娜
;
庞军玲
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庞军玲
.
中国专利
:CN111952154A
,2020-11-17
[6]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
施维
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施维
;
胡友存
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胡友存
;
汤霞梅
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汤霞梅
;
熊鹏
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熊鹏
.
中国专利
:CN111668156A
,2020-09-15
[7]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
金吉松
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
金吉松
;
蒋斌杰
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
蒋斌杰
;
杨伟娜
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
杨伟娜
;
庞军玲
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0
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
庞军玲
.
中国专利
:CN111952154B
,2025-04-22
[8]
半导体器件铜电极的图形化方法
[P].
王颖
论文数:
0
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王颖
;
曹菲
论文数:
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曹菲
;
赵春晖
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赵春晖
.
中国专利
:CN1945799A
,2007-04-11
[9]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
施维
论文数:
0
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0
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施维
;
胡友存
论文数:
0
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胡友存
;
汤霞梅
论文数:
0
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0
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汤霞梅
.
中国专利
:CN111668099A
,2020-09-15
[10]
图形化方法及其形成的半导体器件
[P].
施维
论文数:
0
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施维
;
胡友存
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0
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胡友存
;
汤霞梅
论文数:
0
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汤霞梅
;
熊鹏
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熊鹏
.
中国专利
:CN112053947A
,2020-12-08
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