图形化基底的制备方法、图形化基底及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310841787.3
申请日
2023-07-10
公开(公告)号
CN119317251A
公开(公告)日
2025-01-14
发明(设计)人
林源为
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H10H20/01
IPC分类号
H10H20/82
代理机构
北京思创毕升专利事务所 11218
代理人
廉莉莉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体图形化方法 [P]. 
尚飞 ;
何其暘 .
中国专利 :CN104425211B ,2015-03-18
[2]
图形化的半导体基底及其制备方法和微纳光电/光子器件 [P]. 
万青 ;
朱一新 ;
喻志奎 .
中国专利 :CN119156112A ,2024-12-17
[3]
自对准图形化方法及半导体器件 [P]. 
陈圣 ;
田伟 ;
张超 .
中国专利 :CN114496742A ,2022-05-13
[4]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
施维 ;
胡友存 ;
汤霞梅 .
中国专利 :CN111668155A ,2020-09-15
[5]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
金吉松 ;
蒋斌杰 ;
杨伟娜 ;
庞军玲 .
中国专利 :CN111952154A ,2020-11-17
[6]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
施维 ;
胡友存 ;
汤霞梅 ;
熊鹏 .
中国专利 :CN111668156A ,2020-09-15
[7]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
金吉松 ;
蒋斌杰 ;
杨伟娜 ;
庞军玲 .
中国专利 :CN111952154B ,2025-04-22
[8]
半导体器件铜电极的图形化方法 [P]. 
王颖 ;
曹菲 ;
赵春晖 .
中国专利 :CN1945799A ,2007-04-11
[9]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
施维 ;
胡友存 ;
汤霞梅 .
中国专利 :CN111668099A ,2020-09-15
[10]
图形化方法及其形成的半导体器件 [P]. 
施维 ;
胡友存 ;
汤霞梅 ;
熊鹏 .
中国专利 :CN112053947A ,2020-12-08