图形化方法及其形成的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910492728.3

申请日：

2019-06-06

公开(公告)号：

CN112053947A

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

施维胡友存汤霞梅熊鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21027 H01L21266

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20190606
2020-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 .

中国专利 :CN111668155A ,2020-09-15

[2]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

金吉松 ;

蒋斌杰 ;

杨伟娜 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111952154A ,2020-11-17

[3]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

金吉松 ;

蒋斌杰 ;

杨伟娜 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111952154B ,2025-04-22

[4]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 ;

熊鹏 .

中国专利 :CN111668156A ,2020-09-15

[5]

图形化方法及其形成的半导体器件 [P].

施维 ;

胡友存 ;

汤霞梅 .

中国专利 :CN111668099A ,2020-09-15

[6]

半导体器件铜电极的图形化方法 [P].

王颖 ;

曹菲 ;

赵春晖 .

中国专利 :CN1945799A ,2007-04-11

[7]

半导体图形化方法 [P].

尚飞 ;

何其暘 .

中国专利 :CN104425211B ,2015-03-18

[8]

自对准图形化方法及半导体器件 [P].

陈圣 ;

田伟 ;

张超 .

中国专利 :CN114496742A ,2022-05-13

[9]

图形化基底的制备方法、图形化基底及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN119317251A ,2025-01-14

[10]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795B ,2024-02-27

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