图形化方法及其形成的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910492728.3
申请日
2019-06-06
公开(公告)号
CN112053947A
公开(公告)日
2020-12-08
发明(设计)人
施维 胡友存 汤霞梅 熊鹏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21308
IPC分类号
H01L21027 H01L21266
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣;吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[41]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
陈卓凡 .
中国专利 :CN108807177B ,2018-11-13
[42]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
熊鹏 ;
陆建刚 .
中国专利 :CN111668093A ,2020-09-15
[43]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
常荣耀 ;
张翼英 ;
张海洋 .
中国专利 :CN108155192A ,2018-06-12
[44]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 ;
张冬平 .
中国专利 :CN112053946A ,2020-12-08
[45]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN112071805A ,2020-12-11
[46]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103137545A ,2013-06-05
[47]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
高超 ;
江红 ;
王哲献 .
中国专利 :CN103811307A ,2014-05-21
[48]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN113903803A ,2022-01-07
[49]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张城龙 ;
袁可方 ;
张海洋 .
中国专利 :CN109309042B ,2019-02-05
[50]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
金吉松 ;
何超 ;
庞军玲 .
中国专利 :CN111640667A ,2020-09-08