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图形化方法及其形成的半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910492728.3
申请日
:
2019-06-06
公开(公告)号
:
CN112053947A
公开(公告)日
:
2020-12-08
发明(设计)人
:
施维
胡友存
汤霞梅
熊鹏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21308
IPC分类号
:
H01L21027
H01L21266
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣;吴敏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20190606
2020-12-08
公开
公开
共 50 条
[41]
半导体器件及其形成方法
[P].
张海洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
张海洋
;
陈卓凡
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈卓凡
.
中国专利
:CN108807177B
,2018-11-13
[42]
半导体器件及其形成方法
[P].
熊鹏
论文数:
0
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0
熊鹏
;
陆建刚
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陆建刚
.
中国专利
:CN111668093A
,2020-09-15
[43]
半导体器件及其形成方法
[P].
常荣耀
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常荣耀
;
张翼英
论文数:
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张翼英
;
张海洋
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0
张海洋
.
中国专利
:CN108155192A
,2018-06-12
[44]
半导体器件及其形成方法
[P].
张海洋
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张海洋
;
纪世良
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纪世良
;
张冬平
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张冬平
.
中国专利
:CN112053946A
,2020-12-08
[45]
半导体器件及其形成方法
[P].
王楠
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0
王楠
.
中国专利
:CN112071805A
,2020-12-11
[46]
半导体器件及其形成方法
[P].
洪中山
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洪中山
.
中国专利
:CN103137545A
,2013-06-05
[47]
半导体器件及其形成方法
[P].
高超
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高超
;
江红
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江红
;
王哲献
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王哲献
.
中国专利
:CN103811307A
,2014-05-21
[48]
半导体器件及其形成方法
[P].
王楠
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0
王楠
.
中国专利
:CN113903803A
,2022-01-07
[49]
半导体器件及其形成方法
[P].
张城龙
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张城龙
;
袁可方
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袁可方
;
张海洋
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张海洋
.
中国专利
:CN109309042B
,2019-02-05
[50]
半导体器件及其形成方法
[P].
金吉松
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金吉松
;
何超
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何超
;
庞军玲
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庞军玲
.
中国专利
:CN111640667A
,2020-09-08
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