图形化方法及其形成的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910492728.3
申请日
2019-06-06
公开(公告)号
CN112053947A
公开(公告)日
2020-12-08
发明(设计)人
施维 胡友存 汤霞梅 熊鹏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21308
IPC分类号
H01L21027 H01L21266
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣;吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P]. 
张海洋 ;
蒋鑫 .
中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04
[22]
半导体器件及形成图形方法 [P]. 
Y·哈塔 .
中国专利 :CN1630938A ,2005-06-22
[23]
膜层图形化方法及半导体结构 [P]. 
储郁冬 ;
刘聪 .
中国专利 :CN118571750A ,2024-08-30
[24]
形成半导体器件的方法 [P]. 
S·克朗霍尔兹 ;
A·瑙曼 ;
G·比尔宁克 .
中国专利 :CN102388451B ,2012-03-21
[25]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
窦涛 ;
汤霞梅 ;
胡友存 .
中国专利 :CN111640657A ,2020-09-08
[26]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111952357B ,2024-04-19
[27]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王士京 ;
姚达林 ;
张海洋 .
中国专利 :CN109148272B ,2019-01-04
[28]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04
[29]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
金吉松 ;
何泽军 ;
倪佳 ;
吴艳华 ;
庞军玲 .
中国专利 :CN111640655A ,2020-09-08
[30]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
伏广才 ;
张先明 ;
刘庆鹏 .
中国专利 :CN104743504B ,2015-07-01