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图形化方法及其形成的半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910492728.3
申请日
:
2019-06-06
公开(公告)号
:
CN112053947A
公开(公告)日
:
2020-12-08
发明(设计)人
:
施维
胡友存
汤霞梅
熊鹏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21308
IPC分类号
:
H01L21027
H01L21266
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣;吴敏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20190606
2020-12-08
公开
公开
共 50 条
[21]
半导体结构及其形成方法、半导体器件
[P].
张海洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
张海洋
;
蒋鑫
论文数:
0
引用数:
0
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0
蒋鑫
.
中国专利
:CN111627977A
,2020-09-04
[22]
半导体器件及形成图形方法
[P].
Y·哈塔
论文数:
0
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0
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0
Y·哈塔
.
中国专利
:CN1630938A
,2005-06-22
[23]
膜层图形化方法及半导体结构
[P].
储郁冬
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
储郁冬
;
刘聪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘聪
.
中国专利
:CN118571750A
,2024-08-30
[24]
形成半导体器件的方法
[P].
S·克朗霍尔兹
论文数:
0
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0
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0
S·克朗霍尔兹
;
A·瑙曼
论文数:
0
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A·瑙曼
;
G·比尔宁克
论文数:
0
引用数:
0
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0
G·比尔宁克
.
中国专利
:CN102388451B
,2012-03-21
[25]
半导体器件及其形成方法
[P].
窦涛
论文数:
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窦涛
;
汤霞梅
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汤霞梅
;
胡友存
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胡友存
.
中国专利
:CN111640657A
,2020-09-08
[26]
半导体器件及其形成方法
[P].
王楠
论文数:
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王楠
.
中国专利
:CN111952357B
,2024-04-19
[27]
半导体器件及其形成方法
[P].
王士京
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王士京
;
姚达林
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姚达林
;
张海洋
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0
张海洋
.
中国专利
:CN109148272B
,2019-01-04
[28]
半导体器件及其形成方法
[P].
洪中山
论文数:
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洪中山
.
中国专利
:CN103426755A
,2013-12-04
[29]
半导体器件及其形成方法
[P].
金吉松
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金吉松
;
何泽军
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何泽军
;
倪佳
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倪佳
;
吴艳华
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吴艳华
;
庞军玲
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庞军玲
.
中国专利
:CN111640655A
,2020-09-08
[30]
半导体器件及其形成方法
[P].
伏广才
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伏广才
;
张先明
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张先明
;
刘庆鹏
论文数:
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刘庆鹏
.
中国专利
:CN104743504B
,2015-07-01
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