半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310754040.0

申请日：

2013-12-31

公开(公告)号：

CN104743504B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

伏广才张先明刘庆鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81B300 B81B700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	公开	公开
2016-08-31	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618659096 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2013107540400 申请日:20131231

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

高超 ;

江红 ;

王哲献 .

中国专利 :CN103811307A ,2014-05-21

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

伏广才 .

中国专利 :CN108238581A ,2018-07-03

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104752205B ,2015-07-01

[6]

半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法 [P].

晋虎 ;

万欣 .

中国专利 :CN120813026A ,2025-10-17

[7]

功率半导体器件及其形成方法 [P].

晋虎 ;

万欣 .

中国专利 :CN111785784B ,2025-10-28

[8]

功率半导体器件及其形成方法 [P].

晋虎 .

中国专利 :CN111785784A ,2020-10-16

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

金吉松 ;

何泽军 ;

倪佳 ;

吴艳华 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111640655A ,2020-09-08

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17

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