半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611208573.9

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN108238581A

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

伏广才

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20161223
2021-03-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81B 7/00 申请公布日:20180703
2018-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

伏广才 ;

张先明 ;

刘庆鹏 .

中国专利 :CN104743504B ,2015-07-01

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN104752422A ,2015-07-01

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105448723A ,2016-03-30

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104752205B ,2015-07-01

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113937162B ,2024-07-16

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

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