功率半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010697369.8
申请日
2020-07-20
公开(公告)号
CN111785784A
公开(公告)日
2020-10-16
发明(设计)人
晋虎
申请人
申请人地址
314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号创新大厦A座1613室
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L2906
代理机构
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
王敏生
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
晋虎 ;
万欣 .
中国专利 :CN111785784B ,2025-10-28
[2]
半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法 [P]. 
晋虎 ;
万欣 .
中国专利 :CN120813026A ,2025-10-17
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
邓浩 ;
陈志刚 ;
黄涛 .
中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13
[4]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
李元华 ;
G·H·勒歇尔特 .
中国专利 :CN110610981A ,2019-12-24
[5]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
李元华 ;
G·H·勒歇尔特 .
美国专利 :CN110610981B ,2025-03-07
[6]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
郑大燮 ;
刘博 ;
司徒道海 .
中国专利 :CN106158955A ,2016-11-23
[7]
功率半导体器件的形成方法 [P]. 
李述洲 ;
张成方 ;
张力 ;
刘道广 ;
万欣 ;
李豪 .
中国专利 :CN108831834A ,2018-11-16
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
伏广才 ;
张先明 ;
刘庆鹏 .
中国专利 :CN104743504B ,2015-07-01
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
高超 ;
江红 ;
王哲献 .
中国专利 :CN103811307A ,2014-05-21