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功率半导体器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010697369.8
申请日
:
2020-07-20
公开(公告)号
:
CN111785784A
公开(公告)日
:
2020-10-16
发明(设计)人
:
晋虎
申请人
:
申请人地址
:
314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号创新大厦A座1613室
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L21336
H01L2906
代理机构
:
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
:
王敏生
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200720
2020-10-16
公开
公开
共 50 条
[1]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
晋虎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州奥罗拉半导体有限公司
杭州奥罗拉半导体有限公司
晋虎
;
万欣
论文数:
0
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0
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0
机构:
杭州奥罗拉半导体有限公司
杭州奥罗拉半导体有限公司
万欣
.
中国专利
:CN111785784B
,2025-10-28
[2]
半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法
[P].
晋虎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州奥罗拉半导体有限公司
杭州奥罗拉半导体有限公司
晋虎
;
万欣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州奥罗拉半导体有限公司
杭州奥罗拉半导体有限公司
万欣
.
中国专利
:CN120813026A
,2025-10-17
[3]
半导体器件及其形成方法
[P].
邓浩
论文数:
0
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0
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邓浩
;
陈志刚
论文数:
0
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0
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陈志刚
;
黄涛
论文数:
0
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0
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0
黄涛
.
中国专利
:CN106847913A
,2017-06-13
[4]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
李元华
论文数:
0
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0
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李元华
;
G·H·勒歇尔特
论文数:
0
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G·H·勒歇尔特
.
中国专利
:CN110610981A
,2019-12-24
[5]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
李元华
论文数:
0
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0
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机构:
半导体组件工业公司
半导体组件工业公司
李元华
;
G·H·勒歇尔特
论文数:
0
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0
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0
机构:
半导体组件工业公司
半导体组件工业公司
G·H·勒歇尔特
.
美国专利
:CN110610981B
,2025-03-07
[6]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
郑大燮
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郑大燮
;
刘博
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刘博
;
司徒道海
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司徒道海
.
中国专利
:CN106158955A
,2016-11-23
[7]
功率半导体器件的形成方法
[P].
李述洲
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李述洲
;
张成方
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0
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张成方
;
张力
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张力
;
刘道广
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刘道广
;
万欣
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万欣
;
李豪
论文数:
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李豪
.
中国专利
:CN108831834A
,2018-11-16
[8]
半导体器件及其形成方法
[P].
洪中山
论文数:
0
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0
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0
洪中山
.
中国专利
:CN103426755A
,2013-12-04
[9]
半导体器件及其形成方法
[P].
伏广才
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伏广才
;
张先明
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张先明
;
刘庆鹏
论文数:
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0
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刘庆鹏
.
中国专利
:CN104743504B
,2015-07-01
[10]
半导体器件及其形成方法
[P].
高超
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高超
;
江红
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江红
;
王哲献
论文数:
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王哲献
.
中国专利
:CN103811307A
,2014-05-21
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