半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611111226.4

申请日：

2016-12-02

公开(公告)号：

CN108155192A

公开(公告)日：

2018-06-12

发明(设计)人：

常荣耀张翼英张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L271157

IPC分类号：

H01L2711578

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-08	授权	授权
2018-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20161202
2018-06-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

金吉松 ;

何泽军 ;

倪佳 ;

吴艳华 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111640655A ,2020-09-08

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

伏广才 ;

张先明 ;

刘庆鹏 .

中国专利 :CN104743504B ,2015-07-01

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

马闯 .

中国专利 :CN114300457A ,2022-04-08

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN113496948B ,2024-04-02

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

施维 ;

胡友存 .

中国专利 :CN111640658A ,2020-09-08

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

苏焕杰 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

谌俊元 ;

王圣璁 ;

饶孟桓 .

中国专利 :CN118412280A ,2024-07-30

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

窦涛 ;

汤霞梅 ;

胡友存 .

中国专利 :CN111640657A ,2020-09-08

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