用于调节MEMS传感器元件的测量电容器上的偏置电压的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480074972.3

申请日：

2014-12-01

公开(公告)号：

CN105981407A

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

T·诺尔特曼

申请人：

申请人地址：

德国斯图加特

IPC主分类号：

H04R306

IPC分类号：

H04R1901

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

郭毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-28	公开	公开
2017-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101706074835 IPC(主分类):H04R 3/06 专利申请号:2014800749723 申请日:20141201
2019-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

使用增压电容器和负偏置电压的图像传感器 [P].

李景镐 ;

沈殷燮 ;

尹浈斌 ;

崔性洙 ;

藤田雅人 .

中国专利 :CN112310130A ,2021-02-02

[2]

一种用于测量电容器的温度和电流的传感器 [P].

周玮 ;

董勤晓 ;

李鹏 ;

刘之方 ;

雷雨秋 ;

李会兵 ;

陈没 ;

余辉 ;

李志远 ;

刘赫 ;

方泳皓 .

中国专利 :CN214748098U ,2021-11-16

[3]

一种用于测量电容器的温度和电流的传感器 [P].

周玮 ;

董勤晓 ;

李鹏 ;

刘之方 ;

雷雨秋 ;

李会兵 ;

陈没 ;

余辉 ;

李志远 ;

刘赫 ;

方泳皓 .

中国专利 :CN112484785A ,2021-03-12

[4]

一种用于测量电容器的温度和电流的传感器 [P].

周玮 ;

董勤晓 ;

李鹏 ;

刘之方 ;

雷雨秋 ;

李会兵 ;

陈没 ;

余辉 ;

李志远 ;

刘赫 ;

方泳皓 .

中国专利 :CN112484785B ,2025-07-04

[5]

用于测量多层电容器的DC偏置老化特性的方法 [P].

金东锡 ;

李健镛 ;

徐明德 ;

申东辉 .

韩国专利 :CN119438740A ,2025-02-14

[6]

磁场传感器和用于确定和校正磁场传感器的偏置电压的方法 [P].

T·考夫曼 ;

R·拉茨 ;

P·吕特尔 ;

O·保罗 .

中国专利 :CN102881817A ,2013-01-16

[7]

电容器元件、制造电容器元件的方法和电力电容器的使用 [P].

埃斯比约恩·埃里克森 .

中国专利 :CN101300650B ,2008-11-05

[8]

用于运行电容式MEMS传感器的方法和电容式MEMS传感器 [P].

L·瓦利 ;

A·维斯孔蒂 ;

F·迪亚齐 .

德国专利 :CN113454423B ,2024-06-25

[9]

用于运行电容式MEMS传感器的方法和电容式MEMS传感器 [P].

L·瓦利 ;

A·维斯孔蒂 ;

F·迪亚齐 .

中国专利 :CN113454423A ,2021-09-28

[10]

用于图像传感器的光敏电容器像素 [P].

杨武璋 ;

刘家颖 ;

熊志伟 ;

艾群咏 ;

戴森·H·戴 ;

多米尼克·马塞提 .

中国专利 :CN105990385B ,2016-10-05

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