半导体激光装置和其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810100306.9

申请日：

2008-03-14

公开(公告)号：

CN101272035B

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

中岛三郎野村康彦畑雅幸后藤壮谦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	授权	授权
2014-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 IPC(主分类):H01S 5/022 号牌文件序号:101582079477 专利号:ZL2008101003069 申请日:20080314 授权公告日:20111214 终止日期:20130314
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001499400 IPC(主分类):H01S 5/022 专利申请号:2008101003069 申请日:20080314
2008-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光装置和半导体激光装置的制造方法 [P].

夏宏宇 ;

刘应军 ;

刘巍 .

中国专利 :CN119944437A ,2025-05-06

[2]

半导体激光装置及半导体激光元件的制造方法 [P].

永井洋希 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

中谷东吾 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN118575377A ,2024-08-30

[3]

半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

吉川秀樹 ;

藏本慶一 ;

野村康彦 ;

後藤壮謙 ;

岡山芳央 ;

德永誠一 .

中国专利 :CN102244364A ,2011-11-16

[4]

多光束半导体激光元件、半导体激光装置及其制造方法 [P].

井上裕隆 ;

坂井繁太 ;

反町进 .

日本专利 :CN119381883A ,2025-01-28

[5]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[6]

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106207753A ,2016-12-07

[7]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

[8]

半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法 [P].

高山彻 ;

中谷东吾 ;

永井洋希 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN115362609A ,2022-11-18

[9]

半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置 [P].

渊田步 ;

高濑祯 ;

中村直干 ;

铃木凉子 .

中国专利 :CN112438001B ,2021-03-02

[10]

半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法 [P].

白泷穗高 ;

丹羽显嗣 .

日本专利 :CN117426031A ,2024-01-19

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