包含触点结构的微电子装置，以及相关电子系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110534322.4

申请日：

2021-05-17

公开(公告)号：

CN113690244A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

胡怡 K·W·汤

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2711568

IPC分类号：

H01L2711582

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请日:20210517
2021-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

包含触点结构的微电子装置，以及相关电子系统和方法 [P].

胡怡 ;

K·W·汤 .

美国专利 :CN113690244B ,2025-03-28

[2]

包含触点结构的微电子装置，以及相关电子系统和方法 [P].

胡怡 ;

K·W·汤 .

美国专利 :CN120187022A ,2025-06-20

[3]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

K·R·帕雷克 .

中国专利 :CN115547932A ,2022-12-30

[4]

形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克-艾吉 .

中国专利 :CN115547934A ,2022-12-30

[5]

形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

K·R·帕雷克 ;

B·D·巴里 .

中国专利 :CN115547933A ,2022-12-30

[6]

包含存储器单元结构的微电子装置以及相关方法和电子系统 [P].

S·D·斯奈德 ;

T·A·菲古拉 ;

S·N·S·查拉马拉塞蒂 ;

江秉洁 ;

S·L·莱特 ;

Y·辛格 ;

李岩 ;

郭松 .

中国专利 :CN115377106A ,2022-11-22

[7]

包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统 [P].

D·A·克朗皮特 ;

R·W·林赛 ;

J·D·鲁尼亚 ;

M·霍兰 ;

C·N·查蒙达 .

中国专利 :CN113594168A ,2021-11-02

[8]

包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统 [P].

D·A·克朗皮特 ;

R·W·林赛 ;

J·D·鲁尼亚 ;

M·霍兰 ;

C·N·查蒙达 .

美国专利 :CN113594168B ,2025-03-11

[9]

包含传递字线结构的微电子装置以及相关电子系统和方法 [P].

D·C·潘迪 ;

V·N·K·内拉帕拉 ;

刘海涛 .

中国专利 :CN113809082A ,2021-12-17

[10]

包含传递字线结构的微电子装置以及相关电子系统和方法 [P].

D·C·潘迪 ;

V·N·K·内拉帕拉 ;

刘海涛 .

美国专利 :CN113809082B ,2025-02-07

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