生长铝镓氮的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110601721.8

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113345797A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

赵德刚杨静王柏斌梁锋陈平刘宗顺

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1604 C23C1630

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	公开	公开
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210531

共 50 条

[1]

铝镓氮材料及其制备方法 [P].

孙兆兰 ;

杨静 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

张宇恒 .

中国专利 :CN119153316A ,2024-12-17

[2]

提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法 [P].

刘斌 ;

张荣 ;

谢自力 ;

李亮 ;

修向前 ;

华雪梅 ;

赵红 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

陆海 ;

韩平 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101777488A ,2010-07-14

[3]

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法 [P].

刘宝林 ;

郑清洪 ;

黄瑾 .

中国专利 :CN100557772C ,2008-08-20

[4]

提高铝镓氮材料质量的方法 [P].

赵德刚 ;

杨辉 ;

梁骏吾 ;

李向阳 ;

龚海梅 .

中国专利 :CN1956148A ,2007-05-02

[5]

采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 [P].

马平 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101924022A ,2010-12-22

[6]

基于氮化镓衬底的渐变铝组分铝镓氮MOSFET及制备方法 [P].

周弘 ;

王捷英 ;

张进成 ;

刘志宏 ;

许晟瑞 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113611734A ,2021-11-05

[7]

铝镓氮材料及其制备方法 [P].

黄渝婕 ;

赵德刚 ;

杨静 ;

梁锋 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN120164783A ,2025-06-17

[8]

铝镓氮薄膜及其高温退火方法 [P].

陈平 ;

许昕玥 ;

肖湘珂 ;

赵德刚 ;

薛春来 .

中国专利 :CN118422354A ,2024-08-02

[9]

铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

王翠梅 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100418199C ,2006-02-01

[10]

铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 [P].

韩培德 ;

刘祥林 ;

王晓晖 ;

陆大成 .

中国专利 :CN1361554A ,2002-07-31

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