采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010157625.0

申请日：

2010-04-21

公开(公告)号：

CN101924022A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

马平王军喜王国宏曾一平李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 C23C1602

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035895298 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010101576250 申请日:20100421
2012-09-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101451343580 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010101576250 公开日:20101222

共 50 条

[1]

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法 [P].

刘宝林 ;

郑清洪 ;

黄瑾 .

中国专利 :CN100557772C ,2008-08-20

[2]

用于生长氮化镓的基片和制备氮化镓基片的方法 [P].

秋田胜史 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN100352004C ,2004-09-29

[3]

铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 [P].

韩培德 ;

刘祥林 ;

王晓晖 ;

陆大成 .

中国专利 :CN1361554A ,2002-07-31

[4]

氮化镓或氮化铝镓层的制造方法 [P].

H·拉尔彻 .

中国专利 :CN101978470B ,2011-02-16

[5]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[6]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[7]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[8]

生长铝镓氮的方法 [P].

赵德刚 ;

杨静 ;

王柏斌 ;

梁锋 ;

陈平 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN113345797A ,2021-09-03

[9]

用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法 [P].

秋田胜史 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN101241851A ,2008-08-13

[10]

一种铟镓氮薄膜的生长方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

刘宗顺 ;

朱建军 .

中国专利 :CN110335804A ,2019-10-15

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