用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811149950.5
申请日
2018-09-29
公开(公告)号
CN109306470A
公开(公告)日
2019-02-05
发明(设计)人
魏景峰 荣延栋 傅新宇
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
代理机构
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401
代理人
巴晓艳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置 [P]. 
魏景峰 ;
荣延栋 ;
傅新宇 .
中国专利 :CN209292476U ,2019-08-23
[2]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备 [P]. 
张璞 ;
刘亚男 ;
李靖 .
中国专利 :CN223561687U ,2025-11-18
[3]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备 [P]. 
纪红 ;
赵培洋 ;
赵可可 .
中国专利 :CN113416945A ,2021-09-21
[4]
原子层沉积用进气装置 [P]. 
张远昊 ;
宋广伟 ;
张小强 .
中国专利 :CN119220956B ,2025-07-18
[5]
原子层沉积用进气装置 [P]. 
张远昊 ;
宋广伟 ;
张小强 .
中国专利 :CN119220956A ,2024-12-31
[6]
用于原子层沉积工艺的进气系统 [P]. 
魏景峰 ;
傅新宇 ;
荣延栋 .
中国专利 :CN209292475U ,2019-08-23
[7]
原子层沉积设备的混气结构、进气装置及原子层沉积方法 [P]. 
张璞 ;
刘亚男 ;
李靖 .
中国专利 :CN119615121A ,2025-03-14
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[9]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31