包括第一介电层和第二介电层的多层膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380069675.5

申请日：

2013-11-21

公开(公告)号：

CN104903982B

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

D·格霍施 C·S·莱昂斯 R·E·戈里尔 S·P·马基

申请人：

申请人地址：

美国明尼苏达州

IPC主分类号：

H01G433

IPC分类号：

H01G420 H01L4902 H05K116

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

苏娟;尹景娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-17	授权	授权
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628114969 IPC(主分类):H01G 4/33 专利申请号:2013800696755 申请日:20131121
2015-09-09	公开	公开
2019-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 4/33 申请日:20131121 授权公告日:20180817 终止日期:20181121

共 50 条

[1]

包括第一介电层和第二介电层的多层膜 [P].

D·格霍施 ;

C·S·莱昂斯 ;

R·E·戈里尔 ;

S·P·马基 .

中国专利 :CN104937685A ,2015-09-23

[2]

具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线 [P].

克里斯季·潘采 ;

詹尼·塔拉斯基 ;

罗申·罗斯·乔治 .

中国专利 :CN111602298A ,2020-08-28

[3]

介电膜和包括介电膜的功率电容器 [P].

漆乐俊 ;

C-H·何 ;

L·彼得森 ;

陈建升 .

中国专利 :CN111212870A ,2020-05-29

[4]

介电层及其制备方法和包括该介电层的印刷电路板 [P].

金浦哲 ;

金东振 ;

赵尚益 ;

李宇镇 ;

池受玲 .

中国专利 :CN102573276A ,2012-07-11

[5]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[6]

一种多层交联介电层及其制备方法和应用 [P].

王海波 ;

胡舒航 .

中国专利 :CN115440887A ,2022-12-06

[7]

介电层的制造方法 [P].

史望澄 ;

彭冠杰 ;

赵兰璘 .

中国专利 :CN1284745A ,2001-02-21

[8]

制造介电层的方法 [P].

何宜臻 ;

周友华 ;

廖彦豪 ;

张哲纶 ;

吴振诚 .

中国专利 :CN110828369A ,2020-02-21

[9]

介电层的沉积方法 [P].

李正贤 ;

闵约赛 ;

曹永真 .

中国专利 :CN100356518C ,2004-01-21

[10]

介电层用浆料组合物、介电层及电容器 [P].

佐佐木智一 .

日本专利 :CN121079284A ,2025-12-05

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