射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510232641.4

申请日：

2015-05-08

公开(公告)号：

CN106206723B

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

闻正锋邱海亮马万里赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

李相雨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	授权	授权
2016-12-07	公开	公开
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220722 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695218476 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015102326414 申请日:20150508

共 50 条

[1]

射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206725B ,2016-12-07

[2]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN105489648A ,2016-04-13

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[4]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298893B ,2017-01-04

[5]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王心强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101459084B ,2009-06-17

[6]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206310A ,2016-12-07

[7]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298927B ,2017-01-04

[8]

双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

曹建 ;

赵广艳 ;

高东岳 .

中国专利 :CN102569387B ,2012-07-11

[9]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王新强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101350309B ,2011-04-20

[10]

超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

张帅 ;

刘远良 .

中国专利 :CN103123898A ,2013-05-29

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