射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510320704.1

申请日：

2015-06-11

公开(公告)号：

CN106298927B

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

马万里闻正锋赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

娄冬梅;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-30	授权	授权
2017-01-04	公开	公开
2022-08-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220721 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700790368 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015103207041 申请日:20150611

共 50 条

[1]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206310A ,2016-12-07

[2]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298893B ,2017-01-04

[3]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN105489648A ,2016-04-13

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101388408A ,2009-03-18

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

祝靖 ;

朱桂闯 ;

何乃龙 ;

张森 ;

李少红 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112768521B ,2021-05-07

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102280481B ,2011-12-14

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李镕俊 .

中国专利 :CN101625998A ,2010-01-13

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李钟锡 ;

洪坰国 .

中国专利 :CN103137661A ,2013-06-05

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102683187B ,2012-09-19

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